সৌর ফটোভোলটাইকের জন্য এন-টাইপ এবং পি-টাইপ মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারের মধ্যে প্রধান পার্থক্য
সৌর ফটোভোলটাইকের জন্য এন-টাইপ এবং পি-টাইপ মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারের মধ্যে প্রধান পার্থক্য
মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারগুলিতে দুর্বল পরিবাহিতা সহ আধা-ধাতুগুলির শারীরিক বৈশিষ্ট্য রয়েছে এবং তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে তাদের পরিবাহিতা বৃদ্ধি পায়। তাদের উল্লেখযোগ্য অর্ধপরিবাহী বৈশিষ্ট্যও রয়েছে। অল্প পরিমাণে বোরন সহ অতি-বিশুদ্ধ মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারগুলিকে ডোপ করার মাধ্যমে, পরিবাহিতা একটি পি-টাইপ সিলিকন অর্ধপরিবাহী গঠনের জন্য বৃদ্ধি করা যেতে পারে। একইভাবে, অল্প পরিমাণে ফসফরাস বা আর্সেনিকের সাথে ডোপিংও পরিবাহিতা বাড়াতে পারে, একটি এন-টাইপ সিলিকন সেমিকন্ডাক্টর তৈরি করে। সুতরাং, পি-টাইপ এবং এন-টাইপ সিলিকন ওয়েফারের মধ্যে পার্থক্য কী?
পি-টাইপ এবং এন-টাইপ মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারগুলির মধ্যে প্রধান পার্থক্যগুলি নিম্নরূপ:
ডোপান্ট: মনোক্রিস্টালাইন সিলিকনে, ফসফরাসের সাথে ডোপিং এটিকে এন-টাইপ করে এবং বোরনের সাথে ডোপিং এটিকে পি-টাইপ করে।
পরিবাহিতা: এন-টাইপ হল ইলেকট্রন-পরিবাহী, এবং পি-টাইপ হল গর্ত-পরিবাহী।
কর্মক্ষমতা: এন-টাইপে যত বেশি ফসফরাস ডোপ করা হয়, তত বেশি মুক্ত ইলেকট্রন থাকে, পরিবাহিতা তত শক্তিশালী এবং প্রতিরোধ ক্ষমতা কম। P-টাইপে বোরন যত বেশি ডোপ করা হয়, সিলিকন প্রতিস্থাপন করে তত বেশি গর্ত তৈরি হয়, পরিবাহিতা তত শক্তিশালী এবং প্রতিরোধ ক্ষমতা কম।
বর্তমানে, P-টাইপ সিলিকন ওয়েফারগুলি ফটোভোলটাইক শিল্পের মূলধারার পণ্য। পি-টাইপ সিলিকন ওয়েফার তৈরি করা সহজ এবং খরচ কম। এন-টাইপ সিলিকন ওয়েফারগুলিতে সাধারণত সংখ্যালঘু বাহকের জীবনকাল বেশি থাকে এবং সৌর কোষগুলির কার্যকারিতা আরও বেশি করা যেতে পারে, তবে প্রক্রিয়াটি আরও জটিল। এন-টাইপ সিলিকন ওয়েফারগুলি ফসফরাস দিয়ে ডোপ করা হয়, যার সিলিকনের সাথে দুর্বল দ্রবণীয়তা রয়েছে। রড আঁকার সময়, ফসফরাস সমানভাবে বিতরণ করা হয় না। পি-টাইপ সিলিকন ওয়েফার বোরন দিয়ে ডোপ করা হয়, যার সিলিকনের অনুরূপ বিভাজন সহগ রয়েছে এবং বিচ্ছুরণের অভিন্নতা নিয়ন্ত্রণ করা সহজ।